机译:193 nm浸没光刻技术在300 mm SOI衬底上的高Q光子晶体纳米腔
机译:超高Q 1D光子晶体纳米岩型在300 mm SOI CMOS平台上的高效共振管理
机译:通过ArF浸没光刻工艺在300 mm SOI晶片上制造的基于Si-纳米线的多级延迟Mach-Zehnder干涉仪光学MUX / DeMUX
机译:通过ArF浸没式光刻工艺在300毫米SOI晶圆上制造的低损耗,基于扁平带硅纳米线的五阶耦合谐振器光波导(CROW)
机译:使用高Q硅光子晶体纳米腔来控制光:光子限制,非线性和相干性。
机译:在硅光子平台上通过光刻技术制造的CMOS兼容高Q光子晶体纳米腔
机译:采用193 nm浸没式光刻技术制造的300 mm sOI衬底上的高Q光子晶体纳米腔